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詳細介紹
【產(chan) 品簡介】
HPPD係列非製冷型光電探測器是一種高靈敏度光電探測器,兼容Si(矽)、InGaAs(銦镓砷)、HgCdTe(碲鎘汞,MCT)、銦砷銻等半導體(ti) 光電二極管,對0.4~12um的光譜波段光波敏感。
該探測器直流耦合輸出,含低噪聲、寬帶寬的前置運放,探測器外殼采用全鋁合金材料,即可起到屏蔽環境電磁幹擾,也具備良好的散熱性能。
【HPPD係列非製冷型光電探測器·產(chan) 品特點】
l兼容Si(矽)、InGaAs(銦镓砷)、碲鎘汞等半導體(ti) 光電二極管
l波長覆蓋0.4um至2.6um(近紅外)波段
l含低噪聲、寬帶寬的前置運放
l±12VDC電源輸入,0至10V電壓信號輸出
l兼容Thorlabs®標準SM1(1.035″-40)螺紋
【產(chan) 品參數】
探測器材料 | 銦镓砷、矽、碲鎘汞 |
響應波長範圍 | 0.4 - 12um |
輸出電壓 | ±12V(Hi-Z負載); |
供電電壓 | ±12VDC(電源適配器); |
信號輸出接口 | SMA |
工作溫度範圍 | 10 - 40℃ |
儲(chu) 存溫度範圍 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 56×54.5×20.5mm3 |
重量 | <100g |
信號帶寬 | DC - 1MHz |
跨阻增益 | 15000V/A(Hi-Z 負載);7500V/A(50Ω 負載) |
HPP
【型號規格】
HPPD - A - D - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① =A | 不集成TEC驅動 |
② =D | 直流耦合輸出 |
③ =S;I;H;A | 代表探測器材質;S=矽探測器;I代表銦镓砷探測器;H代表碲鎘汞探測器;A代表銦砷銻探測器 |
④ =01;02;03;04依次類推 | 探測截止波長; 01表示截止波長為(wei) 1um,02表示截止波長為(wei) 2um,03表示截止波長為(wei) 3um,依次類推。客戶采購前需谘詢。 |
⑤ =02,05,10,... | 感光麵積;02表示感光麵積為(wei) 0.2mm2,05表示感光麵積為(wei) 0.5mm2。客戶采購前需谘詢。 |
⑥ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益,默認15K不標識。客戶采購前需谘詢。 |
例如:
HPPD-A-D-S-02-10-10K
該探測器規格為(wei) :矽探測器,一個(ge) 感光麵為(wei) 1.0 mm2,前置放大器為(wei) 直流耦合,波長2um,增益為(wei) 10K的探測器
結構尺寸(單位:mm)
產(chan) 品谘詢